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MHS400V-4P探針冷熱臺(tái)是一款專門針對(duì)半導(dǎo)體芯片研發(fā)、測(cè)試而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。這款探針冷熱臺(tái)擁有高精度的探針位移平臺(tái)，具有良好的真空性能和精準(zhǔn)的溫控系統(tǒng)。

MHS-P600G探針冷熱臺(tái)是一款針對(duì)材料研究過(guò)程中變溫電學(xué)測(cè)試而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，可表征材料升溫和降溫階段，其電學(xué)性能隨溫度變化的特征。 熱臺(tái)可以搭配顯微鏡，光譜儀，XRD等光學(xué)設(shè)備。 MHS-P600G可以在-196℃~600℃之間快速且精準(zhǔn)的控制樣品的溫度，實(shí)現(xiàn)樣品在氣密環(huán)境下的變溫光學(xué)觀察及測(cè)試。

PSM-LN2系列液氮高低溫探針臺(tái)能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80K-800K高低溫真空測(cè)試環(huán)境，通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器，可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫真空環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。

PSM-4K系列低溫探針臺(tái)是一款閉循環(huán)低溫探針臺(tái)，緊湊型及低振動(dòng)的設(shè)計(jì)，能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)＜5K-350K高低溫真空測(cè)試環(huán)境，通過(guò)外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器，可完成材料/器件的IV、CV、光學(xué)以及微波等參數(shù)檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)低溫真空環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。

廣泛用于圖象表征各種熱轉(zhuǎn)變過(guò)程，能夠直接用于觀察樣品在加熱或冷卻過(guò)程中的形態(tài)變化以及結(jié)晶過(guò)程中形狀、結(jié)構(gòu)、顏色以及大小和數(shù)量的變化

BM600G-4P探針冷熱臺(tái)是一款針對(duì)半導(dǎo)體芯片研發(fā)，測(cè)試而專門設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。熱臺(tái)擁有高精度的探針位移平臺(tái)。